在离子注入器中,沿离子束的分子平均数密度用作评估设计的品质参数。它必须通过硅片绕轴旋转角度的函数的形式计算。
研究真空系统的工程师和科学家们不仅使用“分子流模块”来设计真空系统,还通过它来了解并预测低压气体的流动。由于仿真分析可以加强人们对物理现象的理解,降低原型设计成本并加快开发速度,它们越来越频繁地出现在设计周期中。真空系统的原型设计往往十分昂贵。因此,通过在设计过程中增加仿真分析的应用,可以节省大量的成本。真空系统中发生的气体流动可以通过各种不同的物理现象来描述,而不仅仅是传统的流体流动问题。在低压条件下,气体分子的平均自由程与系统的大小接近,此时气体的稀薄状态变得非常重要。流态通过 Knudsen 数 (Kn) 来按量分类,该参数表示分子平均自由程与气流几何尺寸的比值:
流动类型 | Knudsen 数 |
---|---|
连续流 | Kn < 0.01 |
滑动流 | 0.01 < Kn < 0.1 |
过渡流 | 0.1 < Kn < 10 |
自由分子流 | Kn > 10 |
微流体模块可以模拟滑移流和连续流,而“分子流模块”则专门用于准确模拟自由分子流态下的流动情况。在过去,这种流态下的流动情况是蒙特卡罗直接模拟法 (DSMC) 来建模。这一方法可以计算通过系统的大量随机粒子的轨迹,但会在建模过程中引入统计噪声。对于低速流动,例如真空系统中的流动,通过 DSMC 方法引入的噪声导致无法对其使用蒙特卡罗方法模拟。
等温流和非等温流使用角系数方法
域、边界、边和点上的数密度进行了重构
多物质
对流入边界定义了扩散通量、蒸发以及储层条件
对流出边界定义了总真空度和真空泵条件
对壁定义了排气、热脱附、吸附和脱附条件
对非等温流定义了其他温度边界条件
对整个几何剖分网格或仅对表面剖分网格
真空系统
半导体处理设备
材料处理设备
超高真空化学气相沉积 (UHV/CVD)
离子注入器
电荷交换池
热蒸发